参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SPP80P06P H |
说明 | 功率MOSFET 10mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 500 |
最小包 | 500 |
现货 | 1290 [库存更新时间:2025-04-03] |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 5033pF @ 25V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
漏源极电压Vds | 60V |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 5.5mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 173nC @ 10V |
通道数量 | 1Channel |
连续漏极电流Id | 80A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 23mΩ |
栅极电压Vgs | -10V |
Qg-栅极电荷 | 115nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 340W |
高度 | 15.65mm |
长度 | 10mm |
系列 | SPP80P06 |
FET类型 | P-Channel |
宽度 | 4.4mm |
正向跨导 - 最小值 | 18S |
下降时间 | 30ns |
上升时间 | 18ns |
典型关闭延迟时间 | 56ns |
典型接通延迟时间 | 24ns |